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PDN 表征需要深入到晶体管层面的可见性。本白皮书阐述了为何 PDN 可见性对芯片生命周期的每个阶段都至关重要,以及它与功耗、性能和现场运行可靠性之间的关系。
主要特性包括:晶体管级 PDN 可见性、覆盖芯片生命周期的 PDN 遥测与板载分析、可编程回溯缓冲区、交叉触发矩阵接口以及工艺可移植性。
降低芯片级 Vmin,实现单周期电压跌落检测与响应,支持多阈值检测、流片后可编程性以及面向电压跌落的专用遥测。
提供小于 2 个时钟周期的电压跌落响应,支持分布式与本地化时钟生成,无需 VDDA 即可在核心电压下工作,并包含遥测、流片后可编程性以及工艺可移植性。
提供测试中与现场的 PDN 监测、多阈值电压跌落检测、遥测、自动校准、业界领先的响应速度以及工艺可移植性。
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